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Cree 出脫照明事業,電動車、5G 帶動利潤成長!

本文作者:投資旅行家-格列佛

簡單結論 :

  1. Cree 在 SiC 領域擁有 IDM 的技術,目前在此領域的 Wafer 與功率元件市佔率第一同時,也擁有 GaN 相關射頻的製程能力,但目前開發產品仍不多。預估未來 SiC 的 material 與 power market CAGR 能夠成長高達75% 以上,主要由電動車推動,而 GaN 的 CAGR 大約 25%,主要由 5G 推動。
  2. Cree 在剝除獲利不好的 Lighting 之後,Wolfspeed (SiC 與 GaN 部門)營收在 2019 年有機會達到 41%而三個部門中,Wolfspeed 的毛利率為 50%遠高於(Lighting 20% / LEDs 25%),獲利能力將持續改善。
  3. 今明年獲利預估分別為EPS 0.89與 1.45元。

簡介

Cree 在 1989 年推出第一款藍色 LED,並將 SiC 的技術運用在 LED 上,隨後成為 LED 市場的領導者,將產品技術提升到照明等級的 LEDs,另外也生產 SiC 的 power 以及 radio frequency (RF) semiconductors是 SiC 的市場領導者與創新者

 

產品擁有多項創新

  • 1989 年推出第一顆商用藍光的 LEDs Chips。
  • 2006 年推出第一個照明級的 LEDs 產品。
  • 2011 年推出第一個 SiC MOSFET,成功達成 more efficient,decreasing size。
  • 2014 年照明的 Lumens (衡量發光效率的單位)打破世界紀錄,達到 303 LPW。

 

  • 2014 年子公司 WolfSpeeds,業界第一個開發出 1700V SiC half-bridge module,加強了 switching speed and energy efficiency,並應用在 solar、EV 及 industrial power supplies。

 

改變的開始 : 新CEO,勵精圖治

前任 CEO Chuck Swaboda 將事業重心放在照明事業的經營,而 Cree 當時進入照明事業主要是因為 LED 照明的滲透率還在初期,Cree 利用自身的技術將照明 LED 的技術推向市場,Cree lighting 很好的完成這項使命,也因此迎來高速增長期。在先前的 Presentation 當中,其大多都著重於介紹照明事業,針對功率和 RF 元件僅有簡略的介紹,可以看出當初的核心策略以及前任 CEO 對照明事業的情有獨鍾

 

新任CEO : Gregg Lowe,Cree的轉型推手

https://www.cree.com/news-events/news/article/cree-names-gregg-lowe-as-ceo

若要說到 Cree 的改變,就是由這位靈魂推手 Gregg Lowe,帶領 Cree 從 lighting company 成功轉型為 power semi company。

Gregg Lowe 在 2017 年 9/25 正式上任 Cree 的 CEO,而 Gregg Lowe在半導體產業有相當資深的經歷

  1. From 2012 through 2015, he served as president and CEO of Freescale Semiconductor / automotive, industrial, consumer and communications markets.
  2. Prior to that, he had a long career spanning 28 years at Texas Instruments, most recently serving as senior vice president and leader of the analog business.
  3. 於 2018 年的 Analyst day 發表轉型計畫 : 聚焦 Wolfspeed 在 SiC 以及 GaN 的成長,並改善公司的獲利體質,放棄沒有質量的成長

 

營收分布: 剝除利潤差的Lighting部門,將資源挹注到Wolfspeeds

Cree 的營收分為三個部分 :

  1. Wolfspeeds (41%):Cree 最有價值的一個部門,擁有 SiC Discrete power 以及 GaN RF 的射頻氣件生產能力,營收從 2016 年佔比 11%,快速提升至 2019 年的 41%。
  2. LEDs (40%):主要生產 LEDs chips 以及 Component,產品應用於汽車、Video screen 及特殊照明方面。
  3. Lighting (19%):過去營收佔比最大的部門,但隨著市場技術成熟、中國廠商崛起、價格開始競爭,因此營收佔比從 55%一路下滑,最後 Cree 決定在今年三月將照明部門出售,預估 2019 年營收只會剩下 19%。
  4. 從產品的毛利率來看:Wolfspeeds 高達 50%,LEDs 部門大約 25%,Lighting 只有 20%左右

  1. Business prospect:在 Cree 未來的商業藍圖中,WS 的營收將從 2018 年的 3.82 億成長至 8.5億,要翻 2 倍之多,意即 CAGR 要達到 25%,而同時 WS 的獲利能力也是最好的部門,因此管理層的目標是將 OPM 提升到 20%

 

Cree在SiC與GaN技術領域都擁有市場領導地位

  1. Cree 將 SiC 拓展到 Wolfspeeds 部門中其他方面的應用,而 Cree 在 SiC 的功率元件已有近 30 年的發展歷史,1991 年首次推出 SiC 的商用晶圓,2011 年推出業界第一款 SiC MOSFET

  1. Wolfspeeds 在 SiC 市佔率第一,GaN RF 的市佔率第二名。

 

SiC與GaN將在未來大放異彩:由電動車與5G推動

SiC 在物理性質上的重要性:

  1. 高壓特性:SiC 是同等 Si 器件耐壓的 10 倍,碳化矽肖特基管耐壓可達 2400V,且通態電阻並不大。
  2. 高頻、高效特性:SiC 器件的工作頻率一般是 Si 器件的 10 倍。在 PFC 電路中,使用碳化矽可使電路工作在300kHz 以上,效率基本保持不變,而使用矽 FRD 的電路在 100kHz 以上的效率則急劇下降。
  3. 耐高溫、低損耗特性:碳化矽晶片可在 600℃ 的環境下運作,而一般的 Si 器件最多只能到 150℃。
  • 因此,以 SiC 製程的 MOSFET 與 IGBT 具有 (1)耐高熱/耐高壓、(2)轉換效率更高/耗損較少、(3)電阻較低。根據 Infineon 估計,在體積縮小 50%的情況之下,效率仍優於矽製程產品 5%,Cree 也預估 SiC 產品可以縮小面積 30%,並減少 25%的 Losses。

 

Wolfspeeds旗下主要營運包含(1) SiC material、(2) SiC Power market、(3) GaN RF market。

SiC material

  1. SiC material 提供多項產品銷售,包含 Substrate 及 EPI 等。

  1. 市佔率 : 機構估計,Cree 在 SiC material 的 Substrate market 有 40%以上市佔率,而在 merchant Substrate market(通路端)則有 50%以上市佔率,第二名為 IIVI,目前市面上具備量產能力的公司只有這兩家
  2. 公司預估 TAM 的成長,從不到 56 million提升到 1.2 billion,同時意味著高達 85%的 CAGR。

(圖片來源:YOLE estimates)

SiC Power Market

  1. Cree 除了 SiC Wafer 也生產 SiC 的功率元件,像是 MOSFETs、power modules,另外,他們還提供封裝服務,是一條龍的 IDM 廠商
  2. 最大的成長還是來自 EV,TSLA 是第一個採用 MOSFET 的公司,取代了過去的 Si 的 IGBT。預估到 2022年,SiC 應用在 EV車的市場可以達到 2.4 billion,然而這只是 5%的滲透率,因此可見未來發展潛力極大。
  3. 除此之外,其產品也應用在太陽能與充電樁的 fast charging。
  4. 整體 TAM 從 280 million成長至 5 billion,使 CAGR 達 77%。

(圖片來源:YOLE estimates)

GaN RF market

  1. Wolfspeed 提供 GaN Die、HEMT 及 MMIC等產品,應用在軍工以及電信方面,但整體來說, GaN 產品過去多使用在軍事方面,Cree 目前在 RF 的技術也主要仍是 LDMOS 的產品(用在 4G 方面),由此可知,現今GaN on SiC 的產品開發與應用還不普遍,有很大的發展空間

  1. 除了 GaN RF 的生產工藝外,Cree 同時也提供 GaN on SiC 的晶圓代工服務。
  2. 市場成長率從 400 million 提升至 1.1 billion,CAGR 約 25%。

(圖片來源:YOLE estimates)

獲利預期:今年與明年 EPS 分別為 0.89 及 1.45 元。

 


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